Структура n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база 100 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер 100 В Максимально допустимый постоянный ток коллектора 8 А Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора 60 Вт Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 750 Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером 20 МГц ..

Структура n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база 300 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер 250 В Максимально допустимый постоянный ток коллектора 0.1 А Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора 0.83 Вт Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 50 Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером 60 МГц ..

Структура n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база 40 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер 40 В Максимально допустимый постоянный ток коллектора 0.03 А Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора 0.3 Вт Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 200 Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером 350 МГц ..

Структура n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база 330 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер 150 В Максимально допустимый постоянный ток коллектора 7  А Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора 60 Вт Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 10 Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером 10 МГц ..

Структура n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база 1000 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер 450 В Максимально допустимый постоянный ток коллектора  5 А Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора 30 Вт Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 25 Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером 10 МГц ..

Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 44.0 мОм Ток стока 33 А Заряд затвора 47.3 нКл Термосопротивление 1.1 К/Вт Рассеиваемая мощность 140 Вт ..

Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 800 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 6.5 мОм Ток стока 1.8 А Заряд затвора 38.0 нКл Рассеиваемая мощность 54.0 Вт ..

Структура n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база 230 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер 170 В Максимально допустимый постоянный ток коллектора 1 А Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора 20  Вт Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 80 Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером 100 МГц ..

Структура n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база 40 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер 25 В Максимально допустимый постоянный ток коллектора 1,5 А Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора 1 Вт Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 85 Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером 100 МГц ..

Структура p-n-p Максимально допустимое напряжение коллектор-база 80 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер 80 В Максимально допустимый постоянный ток коллектора 5 А Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора 2 Вт Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 1000 ..

Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 20 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 20 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 100(200) мА Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.25 Вт Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 400-1000 Обратный ток коллектора <=0.015 мкА Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =&g..

Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 35 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 35 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 100 мА Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.15 Вт Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 50-350 Обратный ток коллектора <=0.5 мкА Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>250 МГц..